类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH30V7A8-SOIC,系列:HEXFET庐,制造商:InternationalRectifier,FET型:MOSFETN通道,金属氧化物,FET特点:逻辑电平门,漏极至源极电压333Vdss444:30V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:-,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000
更新时间:2025-05-12 直达:irf9410tr.icpartno.51dzw.com
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